揭秘,近期內(nèi)存價格飆升的背后原因解析
內(nèi)存價格為何飆升?
近期內(nèi)存價格急速上漲,其根本原因在于內(nèi)存技術(shù)更新?lián)Q代與供需關(guān)系的失衡,隨著DDR2向DDR3的過渡,DDR2庫存逐漸減少,而DDR3市場需求持續(xù)增長,導致DDR3內(nèi)存供不應求,不幸的是,全球內(nèi)存顆粒的主要供應商之一奇夢達宣布破產(chǎn),進一步加劇了市場上的內(nèi)存顆粒供應短缺。
內(nèi)存價格上漲的另一個原因是內(nèi)存顆粒供應商三星因手機爆炸問題,回收了大量手機,導致產(chǎn)能不足,為了應對內(nèi)存價格上漲的趨勢,消費者和企業(yè)應考慮優(yōu)化內(nèi)存使用策略,如通過內(nèi)存管理軟件優(yōu)化內(nèi)存分配,提高內(nèi)存使用效率;企業(yè)應提前規(guī)劃和儲備足夠的內(nèi)存資源,以應對未來可能出現(xiàn)的漲價風險,推動技術(shù)創(chuàng)新和研發(fā)新型內(nèi)存技術(shù),也是緩解內(nèi)存價格上漲的有效途徑。
內(nèi)存價格上漲的具體原因包括:供應鏈失衡、需求激增、大廠壟斷、原材料成本上升等,全球范圍內(nèi)的供應鏈問題對內(nèi)存價格產(chǎn)生了重大影響,生產(chǎn)內(nèi)存的原材料、芯片等供應緊張,加之全球物流運輸成本上升,導致內(nèi)存供應受限,價格自然上漲,隨著科技進步,人們對電子設(shè)備的需求越來越高,進一步推動了內(nèi)存需求。
內(nèi)存條價格的劇增并非單純的供需失衡,而是由多重因素合力推動,三星、鎂光、海力士等大廠的壟斷地位,導致生產(chǎn)受限,他們有權(quán)力調(diào)整供應策略以提升利潤率,內(nèi)存芯片制造工藝的提升及制造成本的增加也進一步推動了內(nèi)存條價格的上漲。
今年內(nèi)存價格還會繼續(xù)大漲嗎?
根據(jù)IC Insights的報告,今年年底前,DRAM的價格可能再次飆升40%,這意味著,DRAM的價格從年初的45美元,短短不到一年時間,已暴漲至16美元,漲幅達到驚人的111%,對于消費者來說,這一趨勢無疑構(gòu)成了噩夢,三星等內(nèi)存生產(chǎn)商在手機銷量下滑的背景下,卻因內(nèi)存價格的大漲而收益頗豐。
內(nèi)存價格的持續(xù)上漲對電腦玩家構(gòu)成嚴峻挑戰(zhàn)!今年年初以來,電子產(chǎn)品市場的一個顯著變化是元器件價格的普遍上漲,其中內(nèi)存條的價格波動尤其引人關(guān)注,對于PC用戶來說,內(nèi)存價格的上漲無疑帶來了不小的沖擊,就像房價的飆升一樣,內(nèi)存價格一路走高,絲毫沒有降價的跡象。
盡管 *** 給電子產(chǎn)品市場投下陰霾,智能手機首季預計下滑嚴重,但內(nèi)存制造商卻迎來喜訊,自年初三星供電故障和東芝工廠火災后,盡管兩家大廠表示生產(chǎn)未受太大影響,但全球存儲芯片市場異?;钴S,內(nèi)存及SSD硬盤現(xiàn)貨價一季度內(nèi)暴漲30%。
DDR4內(nèi)存為何如此昂貴?
DDR4內(nèi)存價格上漲的原因主要有以下幾點:DDR4內(nèi)存條外觀變化明顯,金手指變成彎曲狀,這意味著DDR4內(nèi)存不再兼容DDR3,老平臺電腦無法升級DDR4內(nèi)存,除非將CPU和主板都更換為新平臺,DDR4內(nèi)存頻率與帶寬提升明顯,工作頻率更高,預取機制更加可靠,數(shù)據(jù)傳輸速度更快。
市場需求大漲,而各大閃存廠商面臨著技術(shù)升級,導致今年產(chǎn)能不足,并不能改變供不應求的局面,導致市場長期處于供應不足的狀態(tài),價格自然就水漲船高了,某棒國大廠壓縮生產(chǎn)線,導致供貨不足,加上我國奸商惡意炒作大肆囤貨,造成供不應求的假象,進一步推高了內(nèi)存價格。